سامسونج تكشف عن شريحة ذاكرة AI جديدة بأعلى سعة حتى الآن

كشفت شركة سامسونج مؤخراً عن شريحة ذاكرة رائدة، توصف بأنها تتمتع "بأعلى سعة حتى الآن" لتطبيقات الذكاء الاصطناعي (AI)، مما يمثل علامة فارقة مهمة في صناعة أشباه الموصلات. وتمثل الشريحة، التي تحمل اسم HBM3E 12H، أول ذاكرة HBM3E DRAM مكونة من ١٢ حزمة، وهي تقنية ذاكرة أشباه الموصلات تشتهر بقدرتها على تخزين كميات هائلة من البيانات بتكلفة معقولة. يؤكد هذا الابتكار على التزام سامسونج بقيادة سوق ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) عالية السعة في عصر الذكاء الاصطناعي المزدهر.

وفي طليعة هذا التقدم التكنولوجي، يونجتشيول باي، نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في شركة سامسونج للإلكترونيات، الذي أكد على تفاني الشركة في تطوير تقنيات HBM الأساسية. جاء هذا الإعلان خلال معرض CES ٢٠٢٤، حيث كشف Han Jin-man، نائب الرئيس التنفيذي المشرف على أعمال سامسونج لأشباه الموصلات في الولايات المتحدة، عن خطط لزيادة إنتاج رقائق HBM بشكل كبير.

 أحدث ابتكارات سامسونج في شرائح الذاكرة المدعمة بالذكاء الاصطناعي

تم الإشادة بشريحة HBM3E 12H لتقديم نطاق ترددي لا مثيل له يصل إلى ١،٢٨٠ جيجابايت (١.٢٥ تيرابايت) في الثانية، مما يضع معياراً صناعيًا جديداً لـ ٣٦ جيجابايت. جاء هذا الإعلان بعد وقت قصير من كشف شركة Micron، المنافس في سوق أشباه الموصلات، عن بدء الإنتاج الضخم لجهاز HBM3E عالي السرعة بسعة ٢٤ جيجابايت و٨ لتر، والذي يلبي أيضًا تطبيقات الذكاء الاصطناعي والرسومات فائقة التفاصيل. يتميز HBM3E من Micron بقدرة نقل بيانات تتجاوز ١.٢ تيرابايت في الثانية، وهو ما يتنافس بشكل وثيق مع عرض النطاق الترددي الذي تبلغ ١.٢٥ تيرابايت في الثانية من سامسونج.

على الرغم من امتلاكها لحصة متواضعة في سوق HBM العالمي، تستثمر Micron بكثافة في منتج الجيل التالي، HBM3e، بهدف سد الفجوة بشكل كبير. تُعرف شركات Samsung وMicron وSK Hynix بأنها الشركات المصنعة الرائدة لرقائق DRAM في جميع أنحاء العالم، وهي مكون مهم في العديد من الأجهزة، بما في ذلك الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر. تعتبر رقائق DRAM محورية لتكنولوجيا الذاكرة المتقدمة في أجهزة أشباه الموصلات، وخاصة في وحدات معالجة الرسومات، ووحدات المعالجة المركزية، وغيرها من تطبيقات الحوسبة عالية الأداء.

لا يسلط هذا الإنجاز الذي حققته سامسونج الضوء على المشهد التنافسي لصناعة أشباه الموصلات فحسب، بل يعرض أيضاً التطورات السريعة في تكنولوجيا الذاكرة التي تلبي متطلبات الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء. ومع استمرار تطور الصناعة، تعد مثل هذه الابتكارات بالدخول في إمكانيات جديدة لتطبيقات التكنولوجيا عبر عدد لا يحصى من القطاعات.

English summary
Samsung has introduced the HBM3E 12H, a revolutionary memory chip with the highest capacity for AI applications. This chip, marking a milestone in the semiconductor industry, offers unparalleled data storage capabilities and underscores Samsung's leadership in high-capacity memory technology.
ذهب عيار ٢٤ / Gram
ذهب عيار ٢٢ / Gram
First Name
Last Name
Email Address
Age
Select Age
  • 18 to 24
  • 25 to 34
  • 35 to 44
  • 45 to 54
  • 55 to 64
  • 65 or over
Gender
Select Gender
  • Male
  • Female
  • Transgender
Location
Explore by Category
Get Instant News Updates
Enable All Notifications
Select to receive notifications from